芯片产品
热点资讯
- 英飞凌科技在研发、生产、销售等方面的战略规划和执行情况
- INFINEON英飞凌IPB072N15N3G芯片的应用与技术开发
- INFINEON英飞凌IRF5210STRLPBF芯片的应用与技术开发
- Infineon英飞凌FF225R12ME4BOSA1模块IGBT MOD 1200V 320A 1050W的参数及方案应用
- Infineon英飞凌FS50R12W2T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 83A 335W的参数及方案应用
- Infineon英飞凌FF300R12KE4HOSA1模块IGBT MOD 1200V 460A 1600W的参数及方案应用
- 英飞凌科技在质量管理、供应链管理等方面的经验和做法
- Infineon英飞凌FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT的参数及方案应用
- Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W的参数及方案应用
- Infineon英飞凌FS33MR12W1M1HPB11BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用
-
03
2024-09
Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA2模块IGBT MOD 650V 40A 20MW的参数及方案应用
Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA2模块IGBT MOD 650V 40A 20MW参数及方案应用详解 一、简介 Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA2模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,适用于各种电力电子应用。其具有650V的电压耐压和40A的额定电流,以及高达20MW的输出功率,使其在工业和消费电子设备中发挥着重要的作用。 二、参数详解 1. 电压耐压:650V,这意味着该模块可以在650V的电压下正常工作,具有较
-
01
2024-09
Infineon英飞凌FP15R12W1T7PB11BPSA1模块LOW POWER EASY AG-EASY1B-2的参数及方案应用
随着科技的飞速发展,电子设备对电源管理的要求越来越高。为了满足这一需求,Infineon英飞凌推出了一款具有创新特性的低功耗解决方案——FP15R12W1T7PB11BPSA1模块。该模块不仅具备高效率、高可靠性等特点,而且易于使用,是电源管理系统的理想选择。 首先,让我们来了解一下FP15R12W1T7PB11BPSA1模块的主要参数。它采用先进的电荷泵技术,工作频率高达300kHz,具有出色的电源抑制性能。同时,模块的输出电压范围广泛,可在3V至5V之间调整,适用于各种应用场景。此外,它还
-
31
2024-08
Infineon英飞凌FP10R12W1T4PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 20A 20MW的参数及方案应用
Infineon英飞凌FP10R12W1T4PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 20A 20MW参数及方案应用详解 一、简介 Infineon英飞凌FP10R12W1T4PBPSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,适用于各种工业和电源应用。该模块具有1200V的额定电压,20A的额定电流,以及高达20MW的额定功率。 二、参数详解 1. 电压:该模块的额定工作电压为1200V,适用于需要高电压大电流的场合。 2. 电流:额定工作电流为20A,能够满足大多数电源和电
-
30
2024-08
Infineon英飞凌FS25R12W1T7B11BOMA1模块IGBT MODULE LOW POWER EASY的参数及方案应用
Infineon英飞凌FS25R12W1T7B11BOMA1模块IGBT MODULE LOW POWER EASY:参数解读与方案应用 随着科技的发展,电子设备对功率的需求越来越高,而IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。今天,我们将详细介绍一款具有低功耗特性的Infineon英飞凌FS25R12W1T7B11BOMA1模块IGBT MODULE,并探讨其参数及方案应用。 一、参数解读 1. 型号规格:FS25R12W1T7B11BO
-
29
2024-08
Infineon英飞凌IM241M6T2JAKMA1模块CIPOS MICRO的参数及方案应用
Infineon英飞凌IM241M6T2JAKMA1模块CIPOS MICRO参数详解及方案应用 一、模块CIPOS MICRO概述 Infineon英飞凌IM241M6T2JAKMA1模块CIPOS MICRO是一款高性能的嵌入式存储器模块,专为物联网应用设计。它集成了大容量存储器、控制器和接口,能够满足各种物联网设备的数据存储和处理需求。CIPOS MICRO模块具有高可靠性、低功耗、易于集成等优点,是物联网设备开发者的理想选择。 二、模块参数详解 1. 存储容量:模块CIPOS MICR
-
28
2024-08
Infineon英飞凌FF1500R17IP5RBPSA1模块PP IHM I XHP 1 7KV AG-PRIME的参数及方案应用
Infineon英飞凌FF1500R17IP5RBPSA1模块:PP IHM IXHP 1.7KV AG-PRIME的参数及应用方案 一、概述 Infineon英飞凌的FF1500R17IP5RBPSA1模块是一款高性能的PP IHM IXHP 1.7KV AG-PRIME模块,适用于各种高电压、高电流的应用场景。该模块具有卓越的电气性能和可靠性,为设计人员提供了丰富的功能和灵活性。 二、技术参数 1. 工作电压:DC 4.5V至16V; 2. 工作温度:-40℃至+85℃; 3. 存储温度:
-
27
2024-08
Infineon英飞凌FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME的参数及方案应用
Infineon英飞凌FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME:参数解析与方案应用 随着科技的不断进步,电子设备对功率半导体器件的需求日益增长。在这其中,Infineon英飞凌的FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME无疑是一款备受瞩目的产品。本文将详细解析该模块的参数,并探讨其方案应用。 一、参数解析 1. 型号与规格:FF1500R12IE5PBPSA1模块IGBT MOD是英飞
-
25
2024-08
Infineon英飞凌FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT的参数及方案应用
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT便是其中的佼佼者。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF1200R17IP5PBPSA1模块IGBT是一款高性能的绝缘栅双极晶体管,具有以下主要参数: 1. 型号:FF1200R17IP5PBPSA1 2. 最大栅极电压:±15V 3. 最大集电极电流:17A 4. 最大浪涌电流
-
24
2024-08
Infineon英飞凌FP100R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD 1200V 100A 515W的参数及方案应用
随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌FP100R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数解析 FP100R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD是一款高性能的1200V 100A 515W IGBT模块。其主要参数如下: * 电压范围:1200V; * 电流容量:最大100A; * 最大漏极功率:515W; * 工作温
-
23
2024-08
Infineon英飞凌FS100R07N2E4BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411的参数及方案应用
Infineon英飞凌FS100R07N2E4BPSA1模块:低功耗、经济型AG-ECONO2B-411的参数及方案应用 随着科技的进步,电子设备的功能越来越强大,而设备的功耗也越来越受到关注。Infineon英飞凌的FS100R07N2E4BPSA1模块以其低功耗、高效率、高可靠性等特点,成为了嵌入式系统设计的理想选择。特别值得一提的是其LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411版本,更是在低功耗领域中展现出了卓越的性能。 一、产品参数 FS100R07N2E4BPSA1模
-
22
2024-08
Infineon英飞凌FF450R07ME4BOSA1模块GBT MODULE 650V 450A的参数及方案应用
Infineon英飞凌FF450R07ME4BOSA1模块GBT MODULE 650V 450A参数及方案应用详解 随着电力电子技术的飞速发展,英飞凌科技的FF450R07ME4BOSA1模块GBT MODULE 650V 450A在许多领域中得到了广泛应用。该模块是一款高性能的IGBT模块,具有高电压、大电流的特点,适用于各种大功率电源、电机驱动、变频器等应用场合。本文将详细介绍FF450R07ME4BOSA1模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF450R07ME4BOSA1模块是一款
-
21
2024-08
Infineon英飞凌FS50R12W2T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 83A 335W的参数及方案应用
Infineon英飞凌FS50R12W2T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 83A 335W参数及方案应用详解 随着科技的不断进步,电子设备对功率半导体器件的需求越来越高。在此背景下,Infineon英飞凌的FS50R12W2T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 83A 335W成为了业界的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用,帮助读者更好地了解这一重要器件。 首先,我们来了解一下FS50R12W2T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 83A 335W的基