欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
  • 28
    2025-04

    Infineon英飞凌FD300R12KE3HOSA1模块IGBT MOD 1200V 480A 1470W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FD300R12KE3HOSA1模块IGBT MOD 1200V 480A 1470W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FD300R12KE3HOSA1模块IGBT MOD 1200V 480A 1470W:参数解读与方案应用 一、引言 Infineon英飞凌的FD300R12KE3HOSA1模块是一款具有高电压、大电流特性的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为480A,总功率达到惊人的1470W。此类模块在许多工业应用中具有广泛的应用前景,如电力转换系统、电机驱动系统、电源管理系统等。本文将详细解析该模块的参数,并探讨其在实际应用中的方案设计。 二、参数解读 1. 工作电压

  • 27
    2025-04

    Infineon英飞凌F417MR12W1M1HB76BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用

    Infineon英飞凌F417MR12W1M1HB76BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用

    Infineon英飞凌F417MR12W1M1HB76BPSA1模块:低功耗易用方案的探索与实践 一、简介 Infineon英飞凌F417MR12W1M1HB76BPSA1模块是一款低功耗易用的存储芯片,适用于各种需要长时间供电的应用场景。它具有卓越的电源效率,可显著延长设备的使用寿命,降低整体能耗,从而为用户带来显著的环境和经济效益。 二、技术参数 * 存储容量:128MB * 接口类型:SPI接口 * 工作电压:1.8V to 3.6V * 读写速度:最高可达50MHz * 封装:BGA

  • 25
    2025-04

    Infineon英飞凌FP75R12KT4B16BOSA1模块IGBT MOD 1200V 150A 385W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FP75R12KT4B16BOSA1模块IGBT MOD 1200V 150A 385W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FP75R12KT4B16BOSA1模块IGBT MOD 1200V 150A 385W参数及方案应用详解 随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌作为业界领先的半导体公司,其FP75R12KT4B16BOSA1模块IGBT MOD便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数解析 FP75R12KT4B16BOSA1模块IGBT MOD是一款适

  • 25
    2025-04

    亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活

    亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活

    4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级精准响应,突破数据壁垒 面对全球超 3000 万种芯片型号 的复杂参数体系,亿配芯城 AI 助手依托 DeepSeek 的千亿级参数模型,

  • 24
    2025-04

    Infineon英飞凌FF300R12ME4PBOSA1模块IGBT MODULE MED PWR ECONOD-3的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF300R12ME4PBOSA1模块IGBT MODULE MED PWR ECONOD-3的参数及方案应用

    一、简述产品 Infineon英飞凌FF300R12ME4PBOSA1模块是一款高性能的IGBT MODULE MED PWR ECONOD-3,其采用了先进的半导体技术,具有高效、节能、环保等特点。该模块主要应用于电力电子领域,如变频器、电机驱动器等。 二、技术参数 1. 型号:FF300R12ME4PBOSA1 2. 芯片类型:IGBT 3. 芯片规格:30A*12V 4. 工作电压:12V 5. 工作温度:-40℃至+150℃ 6. 存储温度:-55℃至+250℃ 7. 开关频率:2MH

  • 23
    2025-04

    Infineon英飞凌FS200R12KT4RBOSA1模块IGBT MOD 1200V 280A 1000W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FS200R12KT4RBOSA1模块IGBT MOD 1200V 280A 1000W的参数及方案应用

    随着科技的不断进步,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。作为电子设备的重要组成部分,功率半导体模块在提高效率、降低能耗和提升性能方面发挥着关键作用。本文将详细介绍Infineon英飞凌FS200R12KT4RBOSA1模块IGBT MOD,其具有1200V、280A和1000W的强大性能,适用于各种工业和商业应用。 首先,我们来了解一下该模块的参数。Infineon英飞凌FS200R12KT4RBOSA1模块IGBT MOD采用先进的1200V IGBT技术,具有高达280A的电

  • 22
    2025-04

    Infineon英飞凌FF300R12ME4B11BPSA2模块MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF300R12ME4B11BPSA2模块MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF300R12ME4B11BPSA2模块:MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411的参数及方案应用 随着科技的不断进步,电子设备的功能越来越强大,对电源管理的要求也越来越高。在这个背景下,Infineon英飞凌的FF300R12ME4B11BPSA2模块,以其卓越的性能和稳定的可靠性,成为了许多电子设备制造商的首选。尤其是MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411方案,更是以其高效、节能、环保的特点,成为了市场上的明星产品。

  • 19
    2025-04

    Infineon英飞凌FZ400R12KE3B1HOSA1模块IGBT MOD 1200V 650A 2250W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FZ400R12KE3B1HOSA1模块IGBT MOD 1200V 650A 2250W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FZ400R12KE3B1HOSA1模块IGBT MOD 1200V 650A 2250W:参数解析与方案应用 一、简介 Infineon英飞凌FZ400R12KE3B1HOSA1模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,其工作电压高达1200V,电流容量为650A,总功率达到2250W。这款模块广泛应用于各种高电压、大电流的电子设备中,如逆变器、变频器、电机驱动等。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1200V,为电路提供了强大的能源支撑。

  • 18
    2025-04

    Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W参数及方案应用详解 随着科技的飞速发展,电子设备对功率半导体器件的需求日益增长。在此背景下,Infineon英飞凌的FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W以其卓越的性能和可靠性,成为了业界的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先,我们来了解一下FF200R12KE3HOSA1模块的基本参数。该模块的最大额定值包括:电压为1200V,电流

  • 16
    2025-04

    Infineon英飞凌FS150R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD 1200V 150A 750W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FS150R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD 1200V 150A 750W的参数及方案应用

    随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中越来越常见。而在这些设备中,功率半导体器件,如Infineon英飞凌的FS150R12KT4B11BOSA1模块IGBT MOD,起着至关重要的作用。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先,让我们了解一下FS150R12KT4B11BOSA1模块的基本参数。该模块是一款适用于交流/直流(AC/DC)转换器的IGBT模块,其最大额定值为:电压为1200V,电流为150A,功率为750W。此外,该模块还具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关性能和低

  • 15
    2025-04

    Infineon英飞凌FP25R12KE3BPSA1模块LOW POWER ECONO的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FP25R12KE3BPSA1模块LOW POWER ECONO的参数及方案应用

    随着科技的发展,电子设备对能源的需求越来越高,因此,低功耗设计已成为电子工程师面临的重要问题。Infineon英飞凌的FP25R12KE3BPSA1模块LOW POWER ECONO就是一个非常适合用于低功耗设计的解决方案。本文将详细介绍该模块的参数以及应用方案。 一、FP25R12KE3BPSA1模块LOW POWER ECONO的参数 FP25R12KE3BPSA1模块LOW POWER ECONO是一款具有优异低功耗性能的存储器模块。它采用先进的存储技术,具有高存储密度、低功耗、高速度、

  • 14
    2025-04

    Infineon英飞凌FF300R12KT4PHOSA1模块IGBT MODULE 1200V 300A的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF300R12KT4PHOSA1模块IGBT MODULE 1200V 300A的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF300R12KT4PHOSA1模块IGBT MODULE 1200V 300A参数及方案应用详解 随着电力电子技术的不断发展,IGBT模块在各种领域中的应用越来越广泛。作为一款高性能的IGBT模块,Infineon英飞凌FF300R12KT4PHOSA1在市场上备受关注。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用,帮助读者更好地了解其性能特点和应用价值。 一、参数介绍 1. 型号:FF300R12KT4PHOSA1 2. 电压:1200V 3. 电流:300A 4. 封装: