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2024-09
Infineon英飞凌FDDF80R12W1H3B52BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
一、简介 Infineon英飞凌FDDF80R12W1H3B52BOMA1模块是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）MODULE，适用于各种工业应用和电源系统。它具有优异的电气性能和可靠的工作特性，为各种复杂的应用场景提供了有效的解决方案。 二、主要参数 1. 电压：该模块可在336V的直流或交流电压下正常工作，为各种电源系统提供了广泛的适用性。 2. 电流：模块的最大连续电流为1200A，峰值电流可达1800A，能够满足大多数工业应用的需求。 3. 开关速度：模块的开关速度非常快，能够
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2024-09
Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W的参数及方案应用
Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W参数及应用方案 随着科技的不断进步，电子设备对功率器件的需求也越来越高。英飞凌科技股份公司（Infineon）的FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD正是这一领域的佼佼者。该模块采用先进的IGBT技术，具有4500V的高压和高达1600A的电流容量，能够提供高达9000W的功率输出，适用于各种高功率电子设备。 一、参数详解 1. 电压：4500V FZ800R45
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2024-09
Infineon英飞凌FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块IGBT MOD 1700V 1600A 1050W的参数及方案应用
一、简介 Infineon英飞凌的FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块是一款高性能的IGBT模块，其工作电压高达1700V，电流容量为1600A，总功率达到惊人的1050W。这种模块广泛应用于各种高电压、大电流的场合，如电力电子、新能源、电动汽车等领域。 二、参数详解 1. 工作电压：该模块的工作电压高达1700V，为电路设计提供了更大的灵活性。 2. 电流容量：模块的电流容量为1600A，能够承受较大的瞬时过载电流。 3. 总功率：模块的总功率为1050W，意味着它可以驱动大
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2024-09
Infineon英飞凌FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD 1200V 275A 1450W的参数及方案应用
随着电子技术的快速发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌的FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD就是一款具有代表性的产品。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD是一款适用于交流电机控制、变频器、电源设备等领域的1200V、275A、1450W的大功率IGBT模块。其主要参数如下： 1. 电压：1200V； 2. 电流：275A； 3. 功率
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2024-09
Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W的参数及方案应用
Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W：参数解析与方案应用 一、简介 Infineon英飞凌的FD400R12KE3B5HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块，其工作电压高达1200V，电流容量为580A，总功率达到2000W。这款模块广泛应用于各种大功率电子设备，如逆变器、电机驱动、电源转换器等。 二、参数详解 1. 工作电压：该模块的工作电压高达1200V，保证了在高压大电流工作条件下，仍能保持稳定的电气性能。 2
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2024-09
Infineon英飞凌FF200R17KE3S4HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 200A的参数及方案应用
随着科技的发展，电力电子技术的广泛应用，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的应用也越来越广泛。Infineon英飞凌的FF200R17KE3S4HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 200A就是一个典型的例子。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF200R17KE3S4HOSA1模块是一款具有极高电压承受能力的IGBT模块，其工作电压高达1200V，电流容量为200A。该模块具有以下主要参数： 1. 工作电压：VCES 1200V； 2. 工作电流：最大2
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2024-09
Infineon英飞凌FZ400R17KE3S4HOSA1模块IGBT MOD 1700V 620A 2250W的参数及方案应用
一、简介 Infineon英飞凌FZ400R17KE3S4HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块，适用于各种电力电子应用场景。该模块的额定电压为1700V，电流为620A，总功率为2250W，具有出色的性能和可靠性。 二、参数详解 1. 电压：该模块的额定电压为1700V，能够承受高电压，适用于需要大功率输出的场合。 2. 电流：该模块的额定电流为620A，具有较高的电流承载能力，能够满足大多数电力电子设备的需求。 3. 功率：该模块的总功率为2250W，适用于需要大功率转换和控制的应用场景
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2024-09
Infineon英飞凌FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用
Infineon英飞凌FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块：低功耗易用方案及应用 随着科技的发展，电子设备的功耗问题日益受到关注。Infineon英飞凌的FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块以其低功耗特性，为解决这一问题提供了有效的方案。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、模块参数 1. 芯片型号：FS28MR12W1M1HB70BPSA1 2. 封装形式：SOIC-8 3. 芯片功能：具有I2C接口的低功耗RTC芯片 4. 工作电压：2.7V to 5.5V 5.
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2024-09
Infineon英飞凌F475R12KS4BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211的参数及方案应用
Infineon英飞凌F475R12KS4BPSA1模块：LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211的参数及方案应用 一、简介 Infineon英飞凌科技的F475R12KS4BPSA1模块，LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211，是一款适用于各种低功耗应用的高性能存储器芯片。该模块采用先进的闪存技术，具有出色的可靠性和稳定性，适用于工业、医疗、消费电子、汽车和物联网等领域。 二、技术参数 * 存储容量：12MB * 接口类型：SPI Flash接口 *
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2024-09
Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W的参数及方案应用
随着电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD就是一款高性能的IGBT模块，具有出色的性能参数和广泛的应用方案。 一、参数介绍 FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD是一款1200V、50A、280W的IGBT模块。它采用密封式封装，具有优异的热性能和电气性能。该模块的开关频率高达16KHz，适用于各种高频开关电源和
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2024-09
Infineon英飞凌FS33MR12W1M1HPB11BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用
Infineon英飞凌FS33MR12W1M1HPB11BPSA1模块：低功耗，轻松应用 随着科技的进步，电子产品对功耗的要求越来越高，如何实现低功耗已成为一个重要的研究课题。在这方面，Infineon英飞凌的FS33MR12W1M1HPB11BPSA1模块以其卓越的低功耗性能，为我们的应用提供了新的可能。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、模块参数 1. 芯片型号与规格：FS33MR12W1M1HPB11BPSA1是一款适用于各种嵌入式系统的Flash Memory芯片。其规格包括存
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2024-09
Infineon英飞凌FF150R12KE3GB2HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 150A的参数及方案应用
Infineon英飞凌FF150R12KE3GB2HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 150A参数及方案应用详解 一、概述 Infineon英飞凌FF150R12KE3GB2HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 150A是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，适用于各种工业应用领域，如电机驱动、变频器、电源转换等。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 二、技术参数 1. 电压：VCES 1200V； 2. 电流：150A； 3. 开关频率