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2024-10
Infineon英飞凌BSM75GB120DN2_E3223C-SE模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着电子技术的快速发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌的BSM75GB120DN2_E3223C-SE模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将围绕该模块的参数、应用方案等方面进行介绍。 一、参数详解 1. 型号规格：BSM75GB120DN2_E3223C-SE，是一款适用于高压应用的IGBT模块，最高工作电压可达1200V。 2. 芯片类型：Infineon英飞凌采用自家的高性能IGBT芯片，具有优异的
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2024-10
Infineon英飞凌FF150R12KE3B8BDLA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着电子技术的快速发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌的FF150R12KE3B8BDLA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF150R12KE3B8BDLA1模块IGBT MODULE是一款采用先进工艺技术制造的大功率IGBT模块，具有以下主要参数： * 电压范围：该模块适用于输入电压为DC 75V至150V的电源系统； * 最大电流：最高电流可达
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2024-10
Infineon英飞凌DDB6U134N16RRB11BPSA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
一、简介 Infineon英飞凌DDB6U134N16RRB11BPSA1模块是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块。该模块具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种工业和电源应用。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 二、参数 1. 型号特性：DDB6U134N16RRB11BPSA1模块具有6个通道，每个通道的额定电流为16A，电压为134V。模块的栅极驱动电压范围为2至36V，支持多种保护功能，如过温保护、过流保护等。 2. 电气性能：该模块的额定电压和电流范围广泛，适用于各种工业
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2024-10
Infineon英飞凌BSM10GP60BOSA1模块BSM10GP60 - IGBT MODULE 600V 20A的参数及方案应用
Infineon英飞凌BSM10GP60BOSA1模块BSM10GP60 - IGBT MODULE 600V 20A参数及方案应用详解 随着电力电子技术的不断发展，IGBT模块在各种应用场景中发挥着越来越重要的作用。今天，我们将为大家介绍一款来自Infineon英飞凌的BSM10GP60BOSA1模块——BSM10GP60 IGBT MODULE 600V 20A。这款模块以其出色的性能和稳定性，成为市场上的热门选择。 首先，我们来了解一下BSM10GP60BOSA1模块的基本参数。该模块采
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2024-10
Infineon英飞凌BSM50GP60B2BOSA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着电子技术的快速发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌作为一家知名的半导体厂商，其BSM50GP60B2BOSA1模块IGBT MODULE在许多应用场景中发挥了重要作用。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格：BSM50GP60B2BOSA1，是一款适用于交流/直流转换器的模块化IGBT。它具有低导通电阻（RDS（on））、低开关损耗和快速响应时间等优点。 2. 最大额定值：在指定的电流
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2024-10
Infineon英飞凌F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块LOW POWER EASY AG-EASY1B-311的参数及方案应用
Infineon英飞凌F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块：低功耗、易用方案及应用 一、简介 Infineon英飞凌科技的F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块是一款低功耗、易用且功能强大的微控制器单元（MCU）。该模块以其卓越的性能和出色的功耗控制，为各种嵌入式系统设计提供了理想的解决方案。 二、主要参数 F3L75R12W1H3PB11BPSA1模块的主要参数包括： 1. 处理器：ARM Cortex-M4，工作频率高达480MHz； 2. 内存：具有高达64KB的闪存和
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2024-10
Infineon英飞凌FP15R12KE3GBOSA1模块FP15R12KE3G - 1200 V, 15 A PIM T的参数及方案应用
Infineon英飞凌FP15R12KE3GBOSA1模块FP15R12KE3G - 1200 V，15 A PIM T的参数及方案应用 一、概述 Infineon英飞凌FP15R12KE3GBOSA1模块是一款高性能的功率模块，适用于各种高电压大电流的应用场景。该模块采用先进的封装技术，具有高可靠性、高效率、低热损耗等优点。本文将详细介绍FP15R12KE3G模块的参数及方案应用。 二、技术参数 1. 电压：最高1200 V； 2. 电流：最大15 A； 3. 封装形式：PIM T； 4.
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2024-10
Infineon英飞凌FP50R06W2E3B11BOMA1模块IGBT MODULE 600V 65A 175W的参数及方案应用
Infineon英飞凌FP50R06W2E3B11BOMA1模块IGBT MODULE 600V 65A 175W参数及方案应用详解 一、概述 Infineon英飞凌FP50R06W2E3B11BOMA1模块是一款高性能的IGBT MODULE，适用于各种电力电子应用场合。该模块具有600V的电压承受能力，可实现高达65A的电流输出，以及175W的功率输出，为各类设备提供了强大的能源转换和控制能力。 二、参数详解 1. 电压：600V：该模块可在600V的电压下正常工作，具有较高的耐压性能，能
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2024-10
Infineon英飞凌FP15R12W1T7PB3BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用
Infineon英飞凌FP15R12W1T7PB3BPSA1模块：低功耗易用方案的探索与实践 一、引言 随着物联网、智能家居、可穿戴设备等领域的快速发展，对低功耗、高集成度、易用性的电子模块需求日益增长。Infineon英飞凌的FP15R12W1T7PB3BPSA1模块，以其独特的LOW POWER EASY特性，为这些应用提供了理想的解决方案。本文将详细介绍该模块的主要参数，并探讨其在实际应用中的方案设计。 二、模块参数详解 FP15R12W1T7PB3BPSA1模块是一款适用于各种低功耗应
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02
2024-10
Infineon英飞凌FS35R12YT3BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着电力电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的FS35R12YT3BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍FS35R12YT3BOMA1模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FS35R12YT3BOMA1模块IGBT MODULE是一款高性能的IGBT模块，其主要参数如下： 1. 型号：FS35R12YT3BOMA1 2. 芯片类型：N-MOS 3. 电压范围
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2024-10
Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着科技的发展，电子设备在我们的日常生活中越来越常见，而IGBT模块作为其中的关键组成部分，其性能和参数对于设备的稳定运行至关重要。今天我们将详细介绍一款名为Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1的IGBT模块，探讨其参数及方案应用。 首先，让我们了解一下Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块的基本参数。该模块是一款电压型驱动的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其额定电压为1,000V，工作温度范围为-40℃至150℃。该模块采用7脚封装
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2024-09
Infineon英飞凌DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用
随着电力电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格：DF80R12W2H3B11BOMA1模块是一款适用于交流/直流转换器的IGBT模块，其额定电压为800V，额定电流为120A。该模块采用MBD（微型基板）技术，具有高集成度、高可靠性和高效率