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  • 01
    2024-10

    Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    随着科技的发展,电子设备在我们的日常生活中越来越常见,而IGBT模块作为其中的关键组成部分,其性能和参数对于设备的稳定运行至关重要。今天我们将详细介绍一款名为Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1的IGBT模块,探讨其参数及方案应用。 首先,让我们了解一下Infineon英飞凌DF100R07W1H5FPB53BPSA1模块的基本参数。该模块是一款电压型驱动的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其额定电压为1,000V,工作温度范围为-40℃至150℃。该模块采用7脚封装

  • 30
    2024-09

    Infineon英飞凌DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    Infineon英飞凌DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格:DF80R12W2H3B11BOMA1模块是一款适用于交流/直流转换器的IGBT模块,其额定电压为800V,额定电流为120A。该模块采用MBD(微型基板)技术,具有高集成度、高可靠性和高效率

  • 29
    2024-09

    Infineon英飞凌FDDF80R12W1H3B52BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FDDF80R12W1H3B52BOMA1模块IGBT MODULE的参数及方案应用

    一、简介 Infineon英飞凌FDDF80R12W1H3B52BOMA1模块是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)MODULE,适用于各种工业应用和电源系统。它具有优异的电气性能和可靠的工作特性,为各种复杂的应用场景提供了有效的解决方案。 二、主要参数 1. 电压:该模块可在336V的直流或交流电压下正常工作,为各种电源系统提供了广泛的适用性。 2. 电流:模块的最大连续电流为1200A,峰值电流可达1800A,能够满足大多数工业应用的需求。 3. 开关速度:模块的开关速度非常快,能够

  • 28
    2024-09

    Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W参数及应用方案 随着科技的不断进步,电子设备对功率器件的需求也越来越高。英飞凌科技股份公司(Infineon)的FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD正是这一领域的佼佼者。该模块采用先进的IGBT技术,具有4500V的高压和高达1600A的电流容量,能够提供高达9000W的功率输出,适用于各种高功率电子设备。 一、参数详解 1. 电压:4500V FZ800R45

  • 27
    2024-09

    Infineon英飞凌FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块IGBT MOD 1700V 1600A 1050W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块IGBT MOD 1700V 1600A 1050W的参数及方案应用

    一、简介 Infineon英飞凌的FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1700V,电流容量为1600A,总功率达到惊人的1050W。这种模块广泛应用于各种高电压、大电流的场合,如电力电子、新能源、电动汽车等领域。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1700V,为电路设计提供了更大的灵活性。 2. 电流容量:模块的电流容量为1600A,能够承受较大的瞬时过载电流。 3. 总功率:模块的总功率为1050W,意味着它可以驱动大

  • 26
    2024-09

    Infineon英飞凌FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD 1200V 275A 1450W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD 1200V 275A 1450W的参数及方案应用

    随着电子技术的快速发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌的FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD就是一款具有代表性的产品。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD是一款适用于交流电机控制、变频器、电源设备等领域的1200V、275A、1450W的大功率IGBT模块。其主要参数如下: 1. 电压:1200V; 2. 电流:275A; 3. 功率

  • 25
    2024-09

    Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W:参数解析与方案应用 一、简介 Infineon英飞凌的FD400R12KE3B5HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为580A,总功率达到2000W。这款模块广泛应用于各种大功率电子设备,如逆变器、电机驱动、电源转换器等。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1200V,保证了在高压大电流工作条件下,仍能保持稳定的电气性能。 2

  • 24
    2024-09

    Infineon英飞凌FF200R17KE3S4HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 200A的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FF200R17KE3S4HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 200A的参数及方案应用

    随着科技的发展,电力电子技术的广泛应用,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的应用也越来越广泛。Infineon英飞凌的FF200R17KE3S4HOSA1模块IGBT MODULE VCES 1200V 200A就是一个典型的例子。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF200R17KE3S4HOSA1模块是一款具有极高电压承受能力的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为200A。该模块具有以下主要参数: 1. 工作电压:VCES 1200V; 2. 工作电流:最大2

  • 23
    2024-09

    Infineon英飞凌FZ400R17KE3S4HOSA1模块IGBT MOD 1700V 620A 2250W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FZ400R17KE3S4HOSA1模块IGBT MOD 1700V 620A 2250W的参数及方案应用

    一、简介 Infineon英飞凌FZ400R17KE3S4HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,适用于各种电力电子应用场景。该模块的额定电压为1700V,电流为620A,总功率为2250W,具有出色的性能和可靠性。 二、参数详解 1. 电压:该模块的额定电压为1700V,能够承受高电压,适用于需要大功率输出的场合。 2. 电流:该模块的额定电流为620A,具有较高的电流承载能力,能够满足大多数电力电子设备的需求。 3. 功率:该模块的总功率为2250W,适用于需要大功率转换和控制的应用场景

  • 22
    2024-09

    Infineon英飞凌FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块LOW POWER EASY的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块:低功耗易用方案及应用 随着科技的发展,电子设备的功耗问题日益受到关注。Infineon英飞凌的FS28MR12W1M1HB70BPSA1模块以其低功耗特性,为解决这一问题提供了有效的方案。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、模块参数 1. 芯片型号:FS28MR12W1M1HB70BPSA1 2. 封装形式:SOIC-8 3. 芯片功能:具有I2C接口的低功耗RTC芯片 4. 工作电压:2.7V to 5.5V 5.

  • 21
    2024-09

    Infineon英飞凌F475R12KS4BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211的参数及方案应用

    Infineon英飞凌F475R12KS4BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211的参数及方案应用

    Infineon英飞凌F475R12KS4BPSA1模块:LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211的参数及方案应用 一、简介 Infineon英飞凌科技的F475R12KS4BPSA1模块,LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211,是一款适用于各种低功耗应用的高性能存储器芯片。该模块采用先进的闪存技术,具有出色的可靠性和稳定性,适用于工业、医疗、消费电子、汽车和物联网等领域。 二、技术参数 * 存储容量:12MB * 接口类型:SPI Flash接口 *

  • 20
    2024-09

    Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W的参数及方案应用

    Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W的参数及方案应用

    随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD就是一款高性能的IGBT模块,具有出色的性能参数和广泛的应用方案。 一、参数介绍 FP50R12KT4GB15BOSA1模块IGBT MOD是一款1200V、50A、280W的IGBT模块。它采用密封式封装,具有优异的热性能和电气性能。该模块的开关频率高达16KHz,适用于各种高频开关电源和