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英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市
发布日期：2024-02-01 11:01     点击次数：162

英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市，将全面替代上一代产品。更好的特性和更大的电流规格，拓展了应用场景，频率范围和系统功率等级。

这些芯片是基于12英寸晶圆开发和生产的，生产基地在德国的德累斯顿和奥地利。

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2022财年财报中宣布英飞凌德累斯顿的新厂投资，计划继续扩大其300毫米晶圆制造能力，以满足预期的模拟/混合信号和功率半导体加速增长的需求。该工厂计划总投资50亿欧元，是英飞凌历史上最大的单笔投资。因此，这也将增强英飞凌作为一家全球功率系统半导体领导企业的地位。



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