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IGBT混搭SiC SBD续流二极管，在硬换流的场合，至少有两个主要优势：● 没有Si二极管的反向恢复损耗Erec● 降低30%以上IGBT的开通损耗Eon因此，在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiC SBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。选取仿真研究对象IGBT：650V/50A/S5、TO247-4pi

英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市，将全面替代上一代产品。更好的特性和更大的电流规格，拓展了应用场景，频率范围和系统功率等级。 这些芯片是基于12英寸晶圆开发和生产的，生产基地在德国的德累斯顿和奥地利。 2022财年财报中宣布英飞凌德累斯顿的新厂投资，计划继续扩大其300毫米晶圆制造能力，以满足预期的模拟/混合信号和功率半导体加速增长的需求。该工厂计划总投资50亿欧元，是英飞凌历史上最大的单笔投资。因此，这也将增强英飞凌作为一家全球功率系统半导体领导企业的地位。