近日，瞻芯电子官方微博表示，依托自建碳化硅(SiC)晶圆生产线开发了第二代碳化硅 SiC IV2Q12040T4Z4MOSFET产品 (1200V 40mΩ SiC MOSFET)近日获得AEC-Q101汽车规级可靠性认证书，并通过新能源行业龙头企业进口测试，正式开始量产交付。

据报道，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，英飞凌可提高应用兼容性，简化应用系统设计。第二代SiC在产品结构上 MOSFET和第一代产品都是平面格栅MOSFET，但进一步优化了格栅氧化层工艺和通道设计，使设备比导通电阻降低了25%左右，显著降低了开关损耗，提高了系统效率。

与此同时，第二代SiC MOSFET产品在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试等方面仍保持着高可靠性和强鲁棒性。

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