Infineon英飞凌FF225R17ME4BOSA1模块IGBT MOD 1700V 340A 1500W参数及应用方案 一、简述产品 Infineon英飞凌FF225R17ME4BOSA1模块是一款IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，适用于中、大功率应用场景。该模块的额定电压为1700V，额定电流为340A，总功率达到1500W。IGBT是一种重要的电力电子器件之一，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点，因此在变频器、电机控制、逆变器等中大功率电子设备中广泛应用。 二、参数详解 1.
Infineon英飞凌FS75R17KE3BOSA1模块IGBT MOD 1700V 130A 465W参数详解及应用方案 一、模块概述 Infineon英飞凌的FS75R17KE3BOSA1模块是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，其额定电压高达1700V，电流达130A，总功率为465W。这款模块在许多高效率、高功率的电源和电机驱动应用中具有广泛的应用前景。 二、参数详解 1. 电压：该模块的额定电压为1700V，意味着它可以承受高达此电压的电应力，并在此电压下正常工作。 2.
Infineon英飞凌FF600R07ME4BPSA1模块GBT MODULE 650V 600A参数及方案应用 随着科技的不断进步，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下，功率半导体器件的重要性不言而喻。Infineon英飞凌的FF600R07ME4BPSA1模块GBT MODULE，以其出色的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先，让我们了解一下FF600R07ME4BPSA1模块的基本参数。该模块的最大工作电压为650
Infineon英飞凌FP100R12N3T7B11BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-711参数及方案应用详解 一、模块概述 Infineon英飞凌FP100R12N3T7B11BPSA1模块LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-711是一款高性能的RAM芯片，适用于各种嵌入式系统。该模块具有低功耗、高速度、高可靠性等特点，适用于需要大量存储数据的场合。 二、技术参数 * 存储容量：128MB * 存储速度：高达240MHz * 工作电压：3.