特斯拉：碳化硅Sic太贵需减少75%用量，相关芯片供应商股价应声下跌
2024-05-133月3日消息，美国电动汽车制造商特斯拉在首次投资者日活动上表示，计划减少下一代电动汽车动力系统中碳化硅Sic晶体管的使用量，当地时间周四相关芯片供应商的股价纷纷下跌。 本周三举行的特斯拉投资者日活动讨论的一个主要内容是效率提升和成本控制。特斯拉动力系统工程负责人Colin Campbell登台展示了公司计划如何在保持高性能和转化效率的同时降低汽车动力系统的成本。 Colin Campbell透露，“在我们的下一代动力系统中，作为关键部件
预计2023年碳化硅SiC功率元器件市场产值将突破22亿美元
2024-05-123月9日消息，TrendForce集邦咨询今日发布报告称，随着安森美、意法半导体、英飞凌等与汽车、能源厂商合作项目明朗化，将推动2023年整体碳化硅SiC功率元器件市场产值达22.8亿美元（当前约158.69亿元人民币），同比增长41.4%。 报告指出，第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动汽车与再生能源设备系统效率。TrendForce集邦咨询表示，SiC功率元件的前两大应用为电动汽车与再生能源领
碳化硅(SiC)半导体的新技术和新材料发展趋势
2024-03-23随着科技的飞速发展，半导体材料在电子、通信、计算机、汽车、航空航天等领域的应用越来越广泛。碳化硅(SiC)半导体作为一种新型的半导体材料，具有许多独特的性能和优势，正在引领着半导体材料的新一轮技术革新。 一、新技术 1. 宽禁带特性：碳化硅具有很高的禁带宽度，能够承受更高的温度和电场强度，因此在高温、高电压等恶劣环境下具有更好的性能表现。 2. 高效能：碳化硅的电子迁移率比传统半导体材料更高，因此在高速电路和功率器件方面具有更强的优势。 3. 集成化：碳化硅的制备工艺与现有半导体工艺兼容，可以
碳化硅(SiC)半导体的国际合作和竞争格局
2024-03-22随着科技的飞速发展，半导体技术已成为现代社会不可或缺的一部分。碳化硅(SiC)半导体作为一种新型的高性能半导体材料，因其优异的性能和广泛的应用前景，在全球范围内引起了广泛的关注。然而，碳化硅半导体的生产和应用并非一帆风顺，国际间的合作与竞争格局也日益凸显。 首先，碳化硅半导体的国际合作趋势日益明显。各国政府和产业界已意识到碳化硅半导体的重要性，并积极推动其研发和生产。跨国企业、研究机构和政府间组织之间的合作项目不断增加，共同推动碳化硅半导体的研发和生产技术的进步。此外，国际标准化组织也在积极制
碳化硅(SiC)半导体的环境适应性和可靠性评估
2024-03-21随着科技的飞速发展，半导体材料在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。碳化硅(SiC)半导体作为一种新型的高温、高频率、大功率半导体材料，具有卓越的环境适应性和可靠性，正逐渐受到广泛关注。 首先，碳化硅具有出色的环境适应性。在高温环境下，SiC半导体能保持稳定的性能，适用于各种高温应用场景，如电动汽车(EV)的电机控制、太阳能电池板逆变器等。此外，SiC还具有出色的抗辐射性能，使其在太空探索和军事应用中具有显著的优势。 其次，SiC半导体的可靠性极高。由于其高电子迁移率，SiC半导体能以更高
碳化硅(SiC)半导体的智能制造和数字化转型
2024-03-20随着科技的飞速发展，半导体行业正在经历一场前所未有的变革。碳化硅(SiC)半导体作为一种新型的宽禁带半导体材料，因其具有高击穿电压、高温下高导热、高电子迁移率等特性，被广泛应用于电力电子领域，尤其在新能源汽车、风力发电、轨道交通等领域中发挥着重要作用。而在这些应用场景中，智能制造和数字化转型是推动SiC半导体产业发展的关键因素。 首先，智能制造是实现SiC半导体高效生产的关键。通过引入先进的自动化生产线和精密的制造工艺，我们可以实现从原材料到最终产品的全过程智能化控制。此外，利用物联网技术实时
碳化硅(SiC)半导体的可靠性增强和寿命延长技术
2024-03-19随着科技的飞速发展，半导体技术已成为现代社会不可或缺的一部分。碳化硅（SiC）半导体作为一种重要的半导体材料，因其优异的性能和广泛的应用领域，越来越受到人们的关注。然而，如何提高其可靠性并延长其寿命，仍是当前面临的重要问题。 首先，我们需要了解碳化硅半导体的特性。作为一种宽禁带半导体材料，SiC具有高击穿电压、高热导率、化学稳定性好、高温下仍能保持高电子迁移率等优点。这些特性使得SiC在电力电子领域有着广泛的应用，如高频开关电源、大功率模块、电动汽车充电桩等。 那么，如何提高SiC的可靠性并延
碳化硅(SiC)半导体的异质集成和混合技术
2024-03-18随着科技的不断进步，半导体材料的选择和应用也在不断拓展。碳化硅（SiC）作为一种新型的宽禁带半导体材料，因其具有高热导率、高击穿电场、高电子饱和速率和高化学稳定性等优点，已成为新一代半导体材料领域的重要一员。而异质集成和混合技术则是推动SiC半导体产业发展的重要手段。 首先，我们要了解异质集成和混合技术的基本概念。异质集成是将不同性能、不同功能、不同尺寸的半导体器件或芯片，通过一定的工艺技术，集成到一个物理结构中。这种技术可以优化电路性能，提高系统集成度，降低功耗，是现代半导体制造的重要手段。
碳化硅(SiC)半导体的新型器件结构和性能预测
2024-03-17一、引言 碳化硅（SiC）半导体作为一种新型的高温、高频、大功率半导体材料，近年来在电子器件领域的应用日益广泛。其独特的物理和化学性质，如高电子迁移率、高热导率、化学稳定性等，使得SiC器件在许多关键领域，如电动汽车、航空航天、国防科技等，具有巨大的潜力。本文将介绍SiC半导体的新型器件结构和性能预测。 二、新型器件结构 1. 肖特基势垒二极管：肖特基势垒二极管是SiC半导体的一种重要应用，其工作原理基于肖特基势垒的整流特性。这种二极管具有高开关速度、低反向漏电流等优点，适用于高频、大功率的应
碳化硅(SiC)半导体的材料改性和优化方法
2024-03-16一、简介 碳化硅(SiC)是一种具有优异物理和化学性能的材料，因其高导热性、高强度和高温稳定性而广泛应用于半导体、微电子、电力电子、光电子和激光等领域。然而，为了充分发挥其潜力，对SiC半导体的材料进行改性和优化是必要的。 二、材料改性方法 1. 表面处理：通过化学或物理方法，对SiC表面进行改性，以提高其与其它材料的结合能力，同时减少表面缺陷。 2. 掺杂：通过离子注入或化学掺杂的方式，改变SiC半导体的电子结构，以提高其电学性能。 3. 薄膜沉积：通过物理或化学气相沉积的方式，在SiC表面