标题：Infineon(IR) AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体DISCRETE SWITCHES在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其独特的性能和方案，成为了行业内的佼佼者。 AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES采用了先进的氮化镓技术，具有高效率、高频率、
LT1763 - 500mA、低噪声、LDO 微功率稳压器
2024-06-12LT®1763 系列是微功率、低噪声、低压差稳压器。这些器件能够提供 500mA 的输出电流和一个 300mV 的压差电压。该系列专为在电池供电型系统中使用而设计，30μA 的低静态电流使其成为一种理想的选择。静态电流处于良好受控状态；与采用其他许多稳压器不同，这系列在降压时的静态电流并不上升。 LT1763 稳压器的一个重要特点是具有低输出噪声。在增设一个外部 0.01μF 旁路电容器的情况下，输出噪声将降至 20μVRMS (在一个 10Hz 至 100kHz 的带宽之内)。LT1763
标题：IXYS艾赛斯IXBK75N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXBK75N170功率半导体IGBT是一款性能卓越的功率电子器件。这款器件采用先进的TO264封装形式，具有1700V的耐压和200A的电流容量，总功率输出达到惊人的1040W。这种高性能的IGBT在许多工业应用中，如电机驱动、电源转换和太阳能发电等领域，都有着广泛的应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBK75N170功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了IXYS艾赛斯公司独特的
标题：Infineon(IR) IKB40N65EF5ATMA1功率半导体40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST技术及其应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。在这个背景下，Infineon(IR)的IKB40N65EF5ATMA1功率半导体器件以其卓越的性能和解决方案，成为了业界的焦点。该器件是一款具有40A电流容量和650V耐压的功率MOSFET，采用了TRENCHSTOP5和ULTRA FAST技术，为电力电子应用提供了强大的支持。
功率(电功率)的几种计算公式
2024-06-11功率包括电功率、机械功率。电功率又包括直流电功率、交流电功率和射频功率；交流功率又包括正弦电路功率和非正弦电路功率；机械功率又包括线位移功率和角位移功率，角位移功率常见于电机输出功率；电功率还可分为瞬时功率、平均功率（有功功率）、无功功率、视在功率。 三相功率计算公式 三相功率计算公式（有功功率）可以采用三个单相独立测量再求和的方式进行计算。 P=PA+PB+PC 对于三相三线制电路，也可采用二瓦计法，三相功率计算公式为： P=PAB+PCB或P=PCA+PBA或P=PBC+PAC 对于正弦三
标题：IXYS艾赛斯IXGK100N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球领先的功率半导体供应商，其IXGK100N170功率半导体IGBT在工业、能源、交通等众多领域中发挥着重要作用。本文将围绕IXGK100N170的特性和应用，以及相关技术方案进行介绍。 一、IXGK100N170特性 IXGK100N170是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点包括： 1. 高效节能：IXGK100N170具有优秀
标题：Infineon(IR) AIKB20N60CTATMA1功率半导体IC DISCRETE 600V TO263-3的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体IC在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR) AIKB20N60CTATMA1功率半导体IC，作为一款DISCRETE 600V TO263-3规格的IC，以其卓越的性能和广泛的应用领域，受到了广大工程师的青睐。 首先，我们来了解一下AIKB20N60CTATMA1的主要技术参数。这款IC采用先进的沟槽N-MO
标题：IXYS艾赛斯IXBH42N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXBH42N170是一种高性能的功率半导体IGBT，其额定电压为1700V，额定电流为80A，最大漏极功率为360W。这款产品采用TO247封装，具有体积小、重量轻、效率高等优点，特别适合于需要高功率密度、高效率的电源应用。 二、技术特点 IXBH42N170采用了IXYS艾赛斯独特的技术，包括高耐压设计、低导通电阻、快速开关特性等，这些特性使得其在各种电源应用中表现出色。具体来说，这款产品
标题：Infineon(IR) IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3的技术和方案应用介绍 随着电子技术的飞速发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司的IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件，具有较高的工作频率、良好的热稳定性以及较长的使用寿命等特点，被广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍Infineon(IR)IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT