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标题:Infineon品牌S25FL256SAGBHIA10芯片:256MBIT SPI/QUAD 24BGA封装的FLASH技术与应用详解 随着科技的不断进步,电子设备的存储容量需求日益增长。在此背景下,Infineon公司推出的S25FL256SAGBHIA10芯片,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了市场上的明星产品。这款芯片是一款高性能的FLASH存储芯片,采用SPI/QUAD 24BGA封装,具有256MBit的存储容量,适用于各种电子设备。 首先,让我们了解一下这款芯片的基本技术
标题:Infineon品牌ESD保护芯片ESD5V3U2U03FH6327XTSA1的应用介绍 随着电子设备的普及,静电保护(ESD)问题日益严重。为了解决这一问题,Infineon公司推出了一款高效静电保护芯片——ESD5V3U2U03FH6327XTSA1。这款芯片以其卓越的性能和可靠性,成为了电子设备防静电保护的重要选择。 ESD5V3U2U03FH6327XTSA1是一款高能量TVS二极管,具有快速响应、低漏电流、高钳压特性。其工作电压为5.3V,最大连续工作电流为15mA,适用于各种
Infineon英飞凌FP10R12W1T4B11BOMA1模块IGBT MOD 1200V 20A 105W参数及方案应用详解 一、简介 Infineon英飞凌FP10R12W1T4B11BOMA1模块是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,其工作电压高达1200V,电流容量为20A,最大漏源功耗(105W)使其在许多高功率应用中具有出色的性能。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1200V,确保了其能够在高电压环境下稳定工作。 2. 电流容量:模块的电流容量为20
标题:Infineon(IR) IRGP4750DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE的技术和方案应用介绍 Infineon(IR) IRGP4750DPBF是一款出色的功率半导体IGBT,它不仅具备常规IGBT的优点,还融入了恢复二极管的创新设计。这种独特的设计为整个系统提供了卓越的保护功能,降低了故障风险,并显著提高了系统的可靠性和效率。 首先,IRGP4750DPBF采用了先进的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术。IGBT是一种复合型器件,结合了绝缘栅极双极型
随着科技的不断进步,电子设备的功能越来越强大,对于电源的稳定性和效率也提出了更高的要求。在此背景下,Infineon英飞凌公司推出的FS50R06W1E3BOMA1模块IGBT MODULE 600V 70A 205W模块,以其卓越的性能和可靠性,成为了电源管理领域的重要选择。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先,我们来了解一下FS50R06W1E3BOMA1模块的基本参数。该模块采用先进的600V耐压技术,能够承受高达70A的电流,同时具有高达205W的输出功率。这些参数使得该模块在
标题:Infineon IRG8P75N65UD1-EPBF功率半导体IRG8P75N65 - 650V 75A IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon IRG8P75N65UD1-EPBF是一款高性能的功率半导体,其型号为IRG8P75N65,电压为650V,电流为75A,具有出色的性能和可靠性。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种重要的功率半导体,具有开关速度快、安全可靠、耐压范围广等优点。Infineon IRG8
一、简介 Infineon英飞凌科技的FZ3600R17HP4B2BOSA2模块是一款高性能的IGBT MODULE,适用于各种电力电子应用。该模块具有1700V的电压耐压和3600A的电流容量,使其在高压大电流应用中表现出色。 二、参数详解 1. 电压耐压:1700V:这款模块的电压耐压达到了1700V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,减少了电路故障的风险。 2. 电流容量:3600A:该模块的电流容量高达3600A,这意味着它可以处理大量的电流,适用于需要高功率输出的场合。 3. 开关
标题:Infineon(IR) IRG7PH42U-EP功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRG7PH42U-EP功率半导体IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的关键元件。它以其出色的性能和可靠性,在各种工业应用中发挥着不可或缺的作用。本文将详细介绍IRG7PH42U-EP的特性和应用方案。 一、技术特性 IRG7PH42U-EP IGBT的主要技术特性包括:高开关速度、高输入阻抗、低导通压降和良好的热稳定性。这些特性使得该器件在高频、大功率的应用场景中表现卓越
标题:Infineon品牌S25FL127SABMFB100芯片:128MBIT SPI/QUAD 8SOIC FLASH技术与应用详解 随着科技的飞速发展,存储芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而其中,Infineon品牌推出的S25FL127SABMFB100芯片,以其SPI/QUAD 8SOIC封装形式和128MBIT的大容量,为各类嵌入式系统和物联网设备提供了强大的存储支持。 一、技术概述 S25FL127SABMFB100芯片是一款SPI(Serial Periphera
Infineon英飞凌FZ3600R17HE4HOSA2模块IGBT MODULE 1700V 7200A参数详解及应用方案 一、简介 Infineon英飞凌FZ3600R17HE4HOSA2模块IGBT MODULE是一款高性能的绝缘栅双极晶体管模块,适用于各种高压、大电流应用场合。该模块具有出色的电气性能和可靠性,适用于工业电源、电动汽车、可再生能源等领域。 二、参数详解 1. 电压:该模块的额定电压为1700V,可以承受高电压冲击,适用于需要高压驱动的场合。 2. 电流:该模块的额定电流