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Infineon英飞凌IFS75S12N3T4_B11模块TRANSISTOR IGBT MODULE的参数及方案应用
2024-10-13
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的IFS75S12N3T4_B11模块,以其优良的参数和方案应用,成为市场上的明星产品。 首先,让我们了解一下Infineon英飞凌IFS75S12N3T4_B11模块的基本参数。该模块采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为核心元件,其额定电压为1200V,额定电流为30A。模块具有低导通电阻(RDS 在方案应用方面,Infineon英飞凌IFS
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