Infineon英飞凌FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W参数及方案应用详解 随着科技的飞速发展,电子设备对功率半导体器件的需求日益增长。在此背景下,Infineon英飞凌的FF200R12KE3HOSA1模块IGBT MODULE 1200V 1050W以其卓越的性能和可靠性,成为了业界的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先,我们来了解一下FF200R12KE3HOSA1模块的基本参数。该模块的最大额定值包括:电压为1200V,电流
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